플래시 메모리
- 플래시 메모리는 전기적으로 데이터를 읽고 쓸 수 있는 반도체 기반의 저장 장치입니다.
- USB 메모리, SD 카드, SSD가 모두 플래시 메모리 가반의 보조 기억장치입니다.
플래시 메모리 종류
- 연산을 수행하는 회로에 따라서 NAND 플래시 메모리와 NOR 플래시 메모리로 구분됩니다. 대용량 저장 장치로 많이 사용되는 플래시 메모리는 NAND 플래시 메모리입니다.
셀( Cell )이란?
- 셀( Cell )이란 플래시 메모리에서 데이터를 저장하는 가장 작은 단위입니다. 한 셀에 몇 비트를 저장할 수 있느냐에 따라서 플래시 메모리 종류가 나뉩니다.
SLC( Single Level Cell ), MLC( Multiple Level Cell ), TLC( Triple Level Cell)
- SLC는 1bit, MLC는 2bit TLC는 3bit를 저장할 수 있습니다. 한 Cell에서 적은 bit를 관리할 수록 속도와 수명이 상승합니다. 다만, 그만큼 가격이 비싸집니다.
구분 | SLC | MLC | TLC |
---|---|---|---|
셀당 bit | 1bit | 2bit | 3bit |
읽기/쓰기 속도 | 빠르다 | 보통 | 느리다 |
용량 대비 가격 | 높다 | 보통 | 낮다 |
page, block, plane, die
- 셀들이 모여 페이지( page ), 그리고 페이지가 모여 만들어진 단위를 블록( block )이라고합니다. 블록이 모여 플레인( plane ), 플레인이 모여 다이( die )가 됩니다.
읽기/쓰기 방식
- 플래시 메모리에서 쓰기는 페이지 단위로 이루어지고 삭제는 페이지보다 큰 블록 단위로 이루어집니다. 읽기/쓰기 단위와 삭제 단위가 다르다는 것이 플래시 메모리의 가장 큰 특징중 하나입니다.
- 플래시 메모리에서는 Free, Vaild, Invalid 3가지 페이지 상태가 있습니다. Free는 언제든지 사용가능한 상태, Vaild는 현재 사용중인 상태, Invalid는 쓰레기값이 있는 상태를 지칭합니다. 특정 블럭안에 있는 Invalid 데이터가 어느정도 쌓여있다면은 Valid 데이터를 새로운 블럭에 복사한 후 가비지 컬렉터가 지워야할 데이터를 블럭단위로 삭제합니다.
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